mit einem sehr guten oder guten ingenieurwissenschaftlichen Hochschulabschluss (Universität) und gegebenenfalls Promotion in Elektrotechnik, Kommunikationstechnik, Informationstechnik oder Physik mit vertieften Kenntnissen auf dem Gebiet der Schaltungstechnik und Funktionsweise von Halbleiterbauelementen sowie Kompetenzen in den Bereichen Entwurfsmethodik , IC-Design, Halbleitertechnologie und Messtechnik. Neugierde für neue Technologien, selbständige und flexible Arbeitsweise, Kommunikations- und Teamfähigkeit, gutes Englisch, innovatives und analytisches Denken und hohen Einsatz setzen wir voraus. Kenntnisse bezüglich der Nutzung von TCAD- und CAD-IC-Design-Tools zur Schaltungssimulation und Erstellung des Chiplayouts sind hilfreich. Arbeitssprache & erwartetes Niveau Deutsch ( fließend in Wort und Schrift ) sehr guter oder guter ingenieurwissenschaftlicher Hochschulabschluss (Universität) und ggf. Promotion Studiengang Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften & Mathematik, Elektrotechnik, Physik, Elektrotechnik, Kommunikationstechnik, Informationstechnik oder Physik mit vertieften Kenntnissen auf dem Gebiet der Schaltungstechnik und Funktionsweise von Halbleiterbauelementen Sprachkenntnisse

Die Arbeiten erfolgen im Rahmen des vom Freistaat Sachsen und der Europäischen Union finanzierten Förderprogramms EFRE/JTF-Richtlinie Forschung InfraProNet 2021-2027, konkret für das Vorhaben „QUANTZ – QUANtenelektronischer Zweikanal-Transistor für stromsparende Schaltkreise der Zukunft“. Im Projekt QUANTZ wird das kleinste und grundlegende Element eines Chips, der Transistor, neu gedacht, um damit stromsparende Schaltkreise für die Zukunft zu ermöglichen. Untersucht wird ein neuartiger Transistoransatz basierend auf dem resonanten Tunneln zwischen zwei eng verorteten leitfähigen Schichten. Dieser rein quantenmechanische Tunneleffekt ermöglicht durch sein Resonanzverhalten eine extrem effiziente Steuerung des Ladungstransports zwischen den beiden leitfähigen Schichten hindurch, durch eine sehr dünne, trennende Isolatorschicht. Dies ermöglicht die Definition eines neuartigen Bauelements, des Zweikanaltransistors, mit dem sich extrem stromsparende Schaltkreise in Siliziumtechnologie realisieren lassen. Sowohl die Bauelementephysik als auch die Herstellungsverfahren sind anspruchsvoll, aber haben das Potential bei erfolgreicher Umsetzung die Mikroelektronik zu revolutionieren. Aus diesem Grund ist das Projekt interdisziplinär angelegt mit den renommierten Forschungspartnern Namlab gGmbH und Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR). Das Teilprojekt von PSN fokussiert sich auf die Implementierung eines physikbasierten Zweikanal-Transistormodells und den Entwurf dazugehöriger analoger und digitaler Grundschaltungen von zum Beispiel Inverter und Differenzverstärker unter Einsatz moderner Computer Aided Design (CAD)-Werkzeugen. Die PSN widmet sich als eine führende Professur im Gebiet der integrierten Schaltungstechnik dem Entwurf und der Modellierung von hocheffizienten, integrierten Hochfrequenz- und Mixed-Signal-Schaltungen. Die Anwendungen umfassen insbesondere die drahtlose und drahtgebundene 5G- und 6G-Informations- und Kommunikationstechnik sowie Sensorsysteme der Zukunft. Aufgaben: Im Teilprojekt „Funktionaler Schaltungsentwurf“ der PSN sollen Arbeiten und Untersuchungen zur Modellierung und Simulation neuartiger Zweikanal-Tunneltransistoren erfolgen. Die Aufgaben umfassen die Entwicklung und Erweiterung von TCAD-Modellen (inkl. quantenmechanischer und technologischer Effekte), den Transfer in ein Kompaktmodell für den Schaltungsentwurf sowie den Entwurf und die Simulation analoger und digitaler Grundschaltungen auf Basis dieser Modelle.